InGaAs(銦鎵砷)材料本身具有高吸收系數(shù)、高遷移率和高探測(cè)率等優(yōu)勢(shì),在短波紅外探測(cè)器領(lǐng)域,相較于其他材料,其量子效率可達(dá)約 70% - 90%,室溫下遷移率約 8000 cm²/(V·s),具有高靈敏度、高速響應(yīng)、低成本等特點(diǎn)。而 GaAsSb(砷化鎵銻)的加入進(jìn)一步提升了傳感器的性能,使得相機(jī)在近紅外區(qū)域具有優(yōu)良表現(xiàn)。該攝像機(jī)在近紅外區(qū)域具有高靈敏度,能夠捕捉微弱的光信號(hào),同時(shí)傳感器具有較低的熱噪聲和暗電流,適合在低光環(huán)境下成像,保證了圖像的質(zhì)量和清晰度。
產(chǎn)地:日本
光電探測(cè)器:InGaAs/GaAsSb II 型量子阱
光譜靈敏度范圍:1000 ~ 2500nm
像素?cái)?shù):320(X) × 256(Y)
幀頻/曝光時(shí)間:100fps/1ms, 200fps/1ms, 300fps/3ms,320fps/2.5ms, 320fps/1ms
像素缺陷率:1,2 < 1%
光電探測(cè)器冷卻方式:電子冷卻
圖像輸出位長(zhǎng):16 位分級(jí)(0 至 65535)
圖像和控制信號(hào) I/O:Camera Link 格式
基本配置 16bit x 1tap(時(shí)鐘 48MHz)
工作溫度:5 - 30°C
工作濕度: 30 - 80%RH(無(wú)冷凝)
儲(chǔ)藏溫度:5 - 30°C
儲(chǔ)藏濕度:30 - 80%RH(無(wú)冷凝)
電源電壓:24VDC±10%
電流消耗:≦10A
外部 I/O 端子:觸發(fā)輸入/警報(bào)輸出端子
相機(jī)鏈接連接端子(連接器:SDR)
外部尺寸:W90 毫米 x D 110 毫米 x 170 毫米
(不包括鏡頭和突出部件)
重量:約 2.5 千克
鏡頭安裝座:C 安裝座
這些相機(jī)非常適合光通信、材料評(píng)估和研發(fā)等需要在近紅外區(qū)域進(jìn)行高精度檢測(cè)的應(yīng)用。住友電氣工業(yè)公司生產(chǎn)的傳感器實(shí)現(xiàn)了高靈敏度和低噪音,在工業(yè)環(huán)境中性能可靠。