FQSS266-Q激光器,憑借其266nm的波長,攜帶了非常高的光子能量。在熒光激發(fā)過程中,這樣高的光子能量對于跨越較大的能帶間隙至關重要,尤其是在半導體材料如砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)中。通過吸收這些高能光子,UV(紫外線)或DUV(深紫外線)輻射能夠有效地彌合甚至較大的能帶間隙,從而激發(fā)材料發(fā)出熒光。此外,這款激光器在(生物)材料的電離過程中同樣表現(xiàn)良好,其高能量光子能夠有效地剝離電子,實現(xiàn)電離效果。
我們的脈沖、被動Q開關微芯片激光系統(tǒng),憑借其多功能性,在工業(yè)(OEM)和科學研究領域均有著廣泛的應用前景。我們能夠為我們的脈沖激光器提供從IR(紅外線)到DUV的五種不同波長選項,具體包括:
1064nm:適用于多種工業(yè)加工和材料處理應用。
532nm:常用于光學測量、成像等領域。
355nm:在微加工、光刻等領域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。
266nm:如上文所述,特別適用于熒光激發(fā)、材料電離等高精度應用。
213nm:作為深紫外線光源,在加工、光刻膠曝光等方面具有潛在應用。
獨立系統(tǒng)(包括按鍵開關、散熱器和手動快門;符合 CDRH 標準)
同步信號輸出(上升時間 <2 ns)
外部光束擴展器(M = 5x)
手動快門或電子光束阻斷器
手動或電動波長開關 266 nm / 532 nm
手動或電動衰減器
根據(jù)要求提供脈沖能量閉環(huán)操作
產(chǎn)地:德國
波長:266 nm
脈沖能量:> 12 μJ @1kHz
峰值功率:> 12 kW @1kHz
脈沖重復率:≤ 1 kHz
脈沖寬度 (FWHM):≤ 1.0 ns
偏振方向和純度:> 100:1 垂直
6 小時內(nèi)脈沖能量漂移:< ± 5 %
脈沖間能量穩(wěn)定性:< 2 % @1kHz
激光等級:4 / IV
空間模式:TEM00
光束發(fā)散度 2Θ:< 2 mrad
光束直徑:600 ± 200 μm
平均功耗:40 W(max. 70 W)
工作電壓:12 V DC
線路電壓:90 – 265 V AC(50 – 60 Hz)
標記:CE
接口:RS 232、USB
外部觸發(fā)器(TTL、上升沿)單次觸發(fā)(按需脈沖)– 重復率(max)
TTL 控制和功率監(jiān)控接口
預熱時間:< 5 分鐘
工作溫度:18 – 38 °C
質(zhì)譜
熒光
光致發(fā)光
脈沖拉曼光譜
標記(玻璃、鏡片)
雕刻