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E2V芯片DDR4

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  • 品牌名稱:E2V
  • 規(guī)格型號(hào):DDR4
產(chǎn)品介紹

DDR4理想的伴侶芯片,適用于處理器、FPGA、SiP解決方案等太空級(jí)設(shè)備…4/8GB耐輻射DDR4內(nèi)存多芯片封裝(MCP)是一種高密度內(nèi)存解決方案,針對(duì)空間嵌入式系統(tǒng)和應(yīng)用。

這種空間級(jí)DDR4內(nèi)存能夠提高性能,同時(shí)占用小的板載空間——這在高度空間限制、密集的衛(wèi)星設(shè)計(jì)中肯定是有價(jià)值的。它可以與具有DDR4控制器的處理器和FPGA結(jié)合使用,也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用計(jì)算平臺(tái)以及Space版本的LS1046四核處理器(QLS1046-4GB)。與DDR4內(nèi)存一起,提供了一個(gè)完整的輻射和應(yīng)用數(shù)據(jù)包,使設(shè)計(jì)師能夠快速開(kāi)發(fā)他們的板,風(fēng)險(xiǎn)小。

性能特點(diǎn)
  • 非常小的占地面積:與使用分立組件相比,節(jié)省了板空間。
  • 每立方英寸存儲(chǔ)容量非常高。
  • 每立方英尺存儲(chǔ)帶寬非常高。
  • 堅(jiān)固耐用:焊接PBGA。
  • 高信號(hào)完整性。
  • 8毫米間距:無(wú)引線和有引線球選項(xiàng)。
  • 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數(shù)、非密封操作的高可靠性和空間應(yīng)用。
選型指南

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:英國(guó)

密度:4GB/8GB

總線寬度:72位(64位數(shù)據(jù)+8位ECC)

速度:高達(dá)2400 MT/s

模塊尺寸:15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球數(shù)量:391

間距:0.8 mm

SEL-LET閾值:>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差:100 krad(Si)

質(zhì)子:可獲得高達(dá)190MeV的數(shù)據(jù)

可編程CAS延遲:13,15,16,17,19

復(fù)位:異步

兼容封裝:SnPb和RoHS

重量:1.2 g+/-0.1 g

 

產(chǎn)品參數(shù)

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