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INFINEON晶體管IMBG120R350M1H

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  • 品牌名稱：INFINEON
  • 規(guī)格型號：IMBG120R350M1H
產(chǎn)品介紹

采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技術的低功率損耗與全新 1200 V 優(yōu)化 SMD 封裝中的 .XT 互連技術相結合，在驅動器、充電器和工業(yè)電源等應用中實現(xiàn)了效率和被動冷卻潛力。開關損耗低，短路耐受時間為 3 µs，完全可控的 dV/dt，基準柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V，對寄生導通具有堅固性，可采用 0 V 關斷柵極電壓，穩(wěn)健的體二極管可實現(xiàn)硬換向，采用 .XT 互連技術，具有同類良好的散熱性能，封裝爬電距離和間隙大于 6.1 毫米，感應引腳可優(yōu)化開關性能。

性能特點

效率提高

實現(xiàn)更高頻率

提高功率密度

減少冷卻工作量

降低系統(tǒng)復雜性和成本

SMD 封裝可直接集成到印刷電路板上，自然對流冷卻，無需額外的散熱片

技術參數(shù)

產(chǎn)地：德國

封裝：TO-263-7

漏源電壓VDS ：1200 V

直流漏極電流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max)：4.7 A

脈沖漏極電流，tp 受 Tvjmax 限制，VGS = 18V：17 A

RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V：350 mΩ

虛擬結溫Tvj：-55 ℃ 至175 ℃

焊接溫度回流焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 標準）：260 ℃

MOSFET/ 本體二極管熱阻，結點 - 外殼Rth(j-c）：1.8 - 2.3 K/W

熱阻，結點 - 環(huán)境Rth(j-a)：62 K/W

輸入電容：196 pF

輸出電容：9 pF

反向電容：0.94 pF

Coss儲存能量：3.8 μJ

柵極總電荷：5.9 nC

柵極至源極電荷：1.5 nC

柵極至漏極電荷：1.2 nC

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應用

電動汽車充電、工業(yè)電機驅動和控制、光伏、不間斷電源 (UPS)

產(chǎn)品參數(shù)

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