產(chǎn)品中心
產(chǎn)品介紹
SemiNex的半導(dǎo)體激光管是為激光開發(fā)和客戶應(yīng)用尋求先進(jìn)性能的客戶的好選擇。這些激光芯片跨越12xx至19xx的InP波長范圍提供，并且具有各種功率、腔配置和波長配置。SemiNex可以將其任何激光芯片安裝在SemiNex標(biāo)準(zhǔn)封裝中，或者SemiNex將與客戶合作開發(fā)定制封裝。SemiNex芯片的應(yīng)用包括激光雷達(dá)、軍事瞄準(zhǔn)、測距和照明?？筛鶕?jù)要求提供自定義波長和配置。
性能特點
- 高性價比
- 高輸出功率
- 高動態(tài)范圍
- 效率高
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)地：美國
- 波長：1320nm（±20）
- 輸出功率（CW）*：0.70瓦（±10%）
- 芯片腔長度：2500μm
- 芯片寬度：500μm
- 發(fā)射器寬度：5μm
- 發(fā)射器高度：1μm
- 光譜寬度：15nm 3dB
- 斜坡效率：0.45W/A
- 快軸分區(qū)：30度FWHM
- 慢軸分區(qū)：13deg FWHM
- 功率轉(zhuǎn)換效率：20%
- 閾值電流：0.05A
- 工作電流：1.6A
- 工作電壓：2.2V
- 重量：0.05g
- 工作溫度：-40至60°C
- 儲存溫度：-40至80°C
產(chǎn)品參數(shù)
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